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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación de energía 1KV 3A AXIAL

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Paquete:
caja
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
85pF a 12V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 µs
El Sr.:
El estado sólido Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Paquete:
caja
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
85pF a 12V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 µs
El Sr.:
El estado sólido Inc.
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5554
Diodo 1000 V 3A a través del eje del agujero

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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