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DSC04C065D1-13 Las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo deben ser las siguientes:

Detalles del producto

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Descripción: Se trata de un sistema de rectificación de carburo de silicio para la producción de carburo de silic

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
150pF @ 100mV, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252 (tipo WX)
El Sr.:
Diodos incorporados
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
DSC04 y DSC04
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
150pF @ 100mV, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252 (tipo WX)
El Sr.:
Diodos incorporados
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
DSC04 y DSC04
DSC04C065D1-13 Las condiciones de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo deben ser las siguientes:
Diodo 650 V 4A montado en la superficie TO-252 (tipo WX)