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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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V1FM10HM3/I

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Descripción: Diodo de descarga eléctrica de 100 V 1A DO219AB

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
770 mV @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Capacidad @ Vr, F:
95pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método siguiente:
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40°C ~ 175°C
Envase / estuche:
DO-219AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
V1FM10
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
770 mV @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Capacidad @ Vr, F:
95pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método siguiente:
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40°C ~ 175°C
Envase / estuche:
DO-219AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
V1FM10
V1FM10HM3/I
Diodo de 100 V 1A montado en la superficie DO-219AB (SMF)