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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6622US

Detalles del producto

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Descripción: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura del aire.
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1.2 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6622
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura del aire.
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1.2 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6622
1N6622US
Diodo 660 V 1.2A montado en la superficie A-MELF