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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Bav19-tap

Detalles del producto

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Descripción: DIODO GEN PURP 100V 250MA DO35

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
1.5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
Tiempo de recuperación inverso (trr):
50 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
250 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
BAV19
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
1.5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
Tiempo de recuperación inverso (trr):
50 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
250 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
BAV19
Bav19-tap
Diodo de 100 V 250 mA a través del agujero DO-35 (DO-204AH)