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Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO GEN PURP 600V 1.7A DO219AB

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
13pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método siguiente:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
920 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-219AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.7A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
SE20
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
13pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método siguiente:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
920 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-219AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.7A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
SE20
Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad.
Diodo de 600 V 1.7A montado en la superficie DO-219AB (SMF)

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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