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Detalles del producto

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Descripción: Diodo de descarga eléctrica de alta tensión

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 80 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-41
El Sr.:
Panjit Internacional Inc.
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MBR180
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 80 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-41
El Sr.:
Panjit Internacional Inc.
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MBR180
Los datos de las entidades de crédito deberán estar disponibles en el sitio web de la entidad.
Diodo 80 V 1A a través del agujero DO-41

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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