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Se trata de la BAY135-TAP.

Detalles del producto

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Descripción: Diodo de generación de energía 125V 200MA DO35

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
3 nA @ 60 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 30 mA
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:
Bajo el nivel de la norma BAY135
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
3 nA @ 60 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 30 mA
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:
Bajo el nivel de la norma BAY135
Se trata de la BAY135-TAP.
Diodo 125 V 200 mA a través del agujero DO-35 (DO-204AH)