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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos.

Detalles del producto

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Descripción: DIODO GEN PURP 100V 1.3A DO221AC

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
12pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen los siguientes productos:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
1,2 µs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-221AC, SMA Plano de conducción
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
SE20
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
12pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen los siguientes productos:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
1,2 µs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-221AC, SMA Plano de conducción
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
SE20
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos.
Diodo de 100 V 1.3A montado en la superficie DO-221AC (SlimSMA)