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Descripción: DIODO GEN PURP 200V 1A DO213AB
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | estado del producto: | Actividad | Corriente - fuga inversa @ Vr: | 10 μA @ 200 V | Tipo de montaje: | Montura de la superficie | Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 1 A | Paquete: | Cintas y bobinas (TR) | Series: | El superectificador® | Capacidad @ Vr, F: | 8pF @ 4V, 1MHz | Paquete de dispositivos del proveedor: | DO-213AB | El Sr.: | Vishay General Semiconductor - División de diodos | Tecnología: | Estándar | Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -65 °C ~ 175 °C | Envase / estuche: | Se utilizará para la fabricación de productos para la fabricación de vidrio. | La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): | Las demás: | Corriente - promedio rectificado (Io): | 1a | Velocidad: | La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) | Número del producto de base: | GL41 | 
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | 
| estado del producto: | Actividad | 
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 10 μA @ 200 V | 
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie | 
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 1 A | 
| Paquete: | Cintas y bobinas (TR) | 
| Series: | El superectificador® | 
| Capacidad @ Vr, F: | 8pF @ 4V, 1MHz | 
| Paquete de dispositivos del proveedor: | DO-213AB | 
| El Sr.: | Vishay General Semiconductor - División de diodos | 
| Tecnología: | Estándar | 
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -65 °C ~ 175 °C | 
| Envase / estuche: | Se utilizará para la fabricación de productos para la fabricación de vidrio. | 
| La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): | Las demás: | 
| Corriente - promedio rectificado (Io): | 1a | 
| Velocidad: | La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) | 
| Número del producto de base: | GL41 |