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Se trata de las empresas que se encuentran en el ámbito de aplicación de la Directiva 2009/138/CE.

Detalles del producto

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Descripción: DIODO GEN PURP 100V 5A DO221BC

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.16 V @ 5 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
eSMP®
Capacidad @ Vr, F:
32pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-221BC (SMPA)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-221BC, SMA Pad expuesto a plomo plano
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
5A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Sección 5
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.16 V @ 5 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
eSMP®
Capacidad @ Vr, F:
32pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-221BC (SMPA)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-221BC, SMA Pad expuesto a plomo plano
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
5A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Sección 5
Se trata de las empresas que se encuentran en el ámbito de aplicación de la Directiva 2009/138/CE.
Diodo de 100 V 5A montado en la superficie DO-221BC (SMPA)