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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto

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Descripción: Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos.

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 150 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/477 Las armas de fuego y las armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5811
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 150 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/477 Las armas de fuego y las armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5811
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Diodo de 150 V 3A a través del orificio B, axial