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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N5819

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Descripción: Diodo de descarga eléctrica

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 45 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
490 mV @ 1 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
70pF @ 5V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-41
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 125 °C
Envase / estuche:
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5819
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 45 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
490 mV @ 1 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
70pF @ 5V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-41
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 125 °C
Envase / estuche:
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5819
1N5819
Diodo 45 V 1A a través del agujero DO-41