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1N5812R
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Detalles del producto

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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas de aluminio.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
Montado en el casco
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 20 A
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/478 El ejército, MIL-PRF-19500/478
Capacidad @ Vr, F:
300 pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplican los siguientes requisitos:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-203AA, DO-4, y también
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
20A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5812
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
Montado en el casco
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 20 A
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/478 El ejército, MIL-PRF-19500/478
Capacidad @ Vr, F:
300 pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplican los siguientes requisitos:
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-203AA, DO-4, y también
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
20A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5812
1N5812R
El diodo 50 V 20A está montado en el perno DO-203AA (DO-4)

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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