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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	µA 100 @ 650 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A	Paquete:	El tubo
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	550 pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnología de la Comchip	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	25.5A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)	Número del producto de base:	CDBDSC8650

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	µA 100 @ 650 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A
Paquete:	El tubo
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	550 pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnología de la Comchip
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	25.5A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	CDBDSC8650