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Descripción: Se trata de un sistema de transmisión de datos que se utiliza para la transmisión de datos.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220F
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología de la Comchip
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
10A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Los datos de las operaciones de los Estados miembros son los siguientes:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
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Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220F
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología de la Comchip
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
10A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Los datos de las operaciones de los Estados miembros son los siguientes:
Los miembros de la Junta de Directores de la Junta
Diodo 650 V 10A a través del agujero TO-220F

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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