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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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DHG30I1200HA

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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 1.2KV 30A TO247

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.26 V @ 30 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247
Tiempo de recuperación inverso (trr):
200 ns
El Sr.:
IXYS
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
30A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
DHG30
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.26 V @ 30 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247
Tiempo de recuperación inverso (trr):
200 ns
El Sr.:
IXYS
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
30A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
DHG30
DHG30I1200HA
Diodo 1200 V 30A a través del agujero TO-247