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Descripción de producto
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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 mA @ 8000 V
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
6.25 V @ 7 A
Paquete:
caja
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
UGE
El Sr.:
IXYS
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
UGE
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
8 000 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4.2a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
UGE1112
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 mA @ 8000 V
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
6.25 V @ 7 A
Paquete:
caja
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
UGE
El Sr.:
IXYS
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
UGE
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
8 000 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4.2a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
UGE1112
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 8000 V 4.2A montado en el chasis UGE

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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