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Los miembros de la Comisión deben tener conocimiento de las disposiciones del presente Reglamento.

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Descripción: Se trata de un sistema de transmisión de energía que permite la transmisión de energía a través de u

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 3 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220F
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología de la Comchip
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
El CDBJSC3650
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 3 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220F
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología de la Comchip
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
El CDBJSC3650
Los miembros de la Comisión deben tener conocimiento de las disposiciones del presente Reglamento.
Diodo 650 V 3A a través del agujero TO-220F