Detalles del producto
Pago y términos de envío
Descripción: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
10 μA @ 1000 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.1 V @ 10 A |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR) |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
135 pF @ 4V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
R-6 |
El Sr.: |
Rectron EE.UU. |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
R-6, el eje |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
10A |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
10 μA @ 1000 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.1 V @ 10 A |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR) |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
135 pF @ 4V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
R-6 |
El Sr.: |
Rectron EE.UU. |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
R-6, el eje |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
10A |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |