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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

HVM5

Detalles del producto

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Descripción: DIODO GEN PURP 5KV 350MA HVM

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 5000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
8 V @ 350 mA
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
HVM
El Sr.:
Rectron EE.UU.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-20 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
5000 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
350 mA
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 5000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
8 V @ 350 mA
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
HVM
El Sr.:
Rectron EE.UU.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-20 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
5000 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
350 mA
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
HVM5
Diodo 5000 V 350 mA a través del agujero HVM