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Descripción: Se trata de un sistema de transmisión de energía que se utiliza para la transmisión de energía.

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 12000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
14 V @ 350 mA
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
HVM
El Sr.:
Rectron EE.UU.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-20 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
12000 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
350 mA
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 12000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
14 V @ 350 mA
Paquete:
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Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
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Envase / estuche:
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La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
12000 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
350 mA
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
HVM12
Diodo 12000 V 350 mA a través del agujero HVM

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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