Detalles del producto
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Descripción: Diodo de generación de energía 24KV 4A
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
5 µA @ 24000 V |
Tipo de montaje: |
Montura del chasis |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
12 V @ 4 A |
Paquete: |
caja |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
- |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
1,5 µs |
El Sr.: |
Semiconductores Diotec |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-50 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
módulo |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
24000 V |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
4a |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
5 µA @ 24000 V |
Tipo de montaje: |
Montura del chasis |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
12 V @ 4 A |
Paquete: |
caja |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
- |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
1,5 µs |
El Sr.: |
Semiconductores Diotec |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-50 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
módulo |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
24000 V |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
4a |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |