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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 1.2KV 10A P600

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.05 V @ 10 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
P600
Tiempo de recuperación inverso (trr):
1,5 µs
El Sr.:
Semiconductores Diotec
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-50 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
P600, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
10A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.05 V @ 10 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
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Envase / estuche:
P600, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
10A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
P1000S
Diodo de 1200 V 10A a través del agujero P600

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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