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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO GEN PURP 1KV 6A R-6

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 6 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
100 pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
R-6
El Sr.:
Tecnología de la Comchip
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 125 °C
Envase / estuche:
R-6, el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
6A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
6A10
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 6 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
100 pF @ 4V, 1MHz
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El Sr.:
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Tecnología:
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 125 °C
Envase / estuche:
R-6, el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
6A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
6A10
6A10B-G
Diodo 1000 V 6A a través del agujero R-6

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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