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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables se calculará en función de las emisi

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 3 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
181pF a 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220AC
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología energética global-GPT
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
11.5A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 3 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
181pF a 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología energética global-GPT
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
11.5A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
G3S06503A
Diodo 650 V 11.5A a través del orificio TO-220AC

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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