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GD10MPS12E
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de carbono de silício 1.2KV 29A TO252-2

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
367 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
29A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
367 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
29A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
GD10MPS12E
Diodo de 1200 V 29A montado en la superficie TO-252-2

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

32 componentes electrónicos mordidos del OEM del microcontrolador,

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