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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO SIL CARBIDE 600V 4A TO46

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 1 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
76 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-46
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 225 °C
Envase / estuche:
TO-206AB, TO-46-3 Lata metálica
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 1 A
Paquete:
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Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
76 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-46
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 225 °C
Envase / estuche:
TO-206AB, TO-46-3 Lata metálica
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Diodo 600 V 4A a través del agujero TO-46

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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