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GD30MPS06J
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo SIL CARB 650V 51A TO263-7

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
735 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-263-7
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-263-8, ² Pak (7 ventajas + etiquetas) de D, TO-263CA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
Las demás:
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
GD30MPS06
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
735 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-263-7
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-263-8, ² Pak (7 ventajas + etiquetas) de D, TO-263CA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
Las demás:
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
GD30MPS06
GD30MPS06J
Diodo 650 V 51A montado en la superficie TO-263-7

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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