Detalles del producto
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Descripción: Diodo SIL CARB 650V 20A TO247-2
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
50 μA @ 650 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.7 V @ 20 A |
Paquete: |
El tubo |
Series: |
Amp+TM |
Capacidad @ Vr, F: |
835 pF @ 1V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-247-2 |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
0 años |
El Sr.: |
SemiQ |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Envase / estuche: |
TO-247-2 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
20A |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Número del producto de base: |
Se aplicará a los vehículos de la categoría M2 |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
50 μA @ 650 V |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.7 V @ 20 A |
Paquete: |
El tubo |
Series: |
Amp+TM |
Capacidad @ Vr, F: |
835 pF @ 1V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-247-2 |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
0 años |
El Sr.: |
SemiQ |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Envase / estuche: |
TO-247-2 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
20A |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Número del producto de base: |
Se aplicará a los vehículos de la categoría M2 |