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GD30MPS12H
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de carbono de silício 1.2KV 55A TO247-2

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 30 A
Paquete:
El tubo
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
1101pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-2
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
55A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 30 A
Paquete:
El tubo
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
1101pF @ 1V, 1MHz
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El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
55A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
GD30MPS12H
Diodo 1200 V 55A Through Hole TO-247-2

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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