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Las partidas de la partida 3 se aplicarán a las partidas de las partidas 4 y 5 del presente anexo.

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Descripción: Los datos de los datos de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
150 ns
El Sr.:
EIC Semiconductor Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
150 ns
El Sr.:
EIC Semiconductor Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Las partidas de la partida 3 se aplicarán a las partidas de las partidas 4 y 5 del presente anexo.
Diodo 50 V 3A a través del agujero DO-201AD