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Descripción: Diodo de carbono de silício 1.2KV 54A TO247-2

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 20 A
Paquete:
El tubo
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
1114pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Chips de invención
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
Las demás:
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 20 A
Paquete:
El tubo
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
1114pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Chips de invención
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
Las demás:
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 1200 V 54A a través del agujero TO-247-2

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

32 componentes electrónicos mordidos del OEM del microcontrolador,

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