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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1.5 mA @ 20 V
Tipo de montaje:
Chasis, montaje de rodillos
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
750 mV @ 35 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-4
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Schottky, polaridad inversa
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-203AA, DO-4, y también
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
Las demás:
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MBR3560
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1.5 mA @ 20 V
Tipo de montaje:
Chasis, montaje de rodillos
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
750 mV @ 35 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
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El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Schottky, polaridad inversa
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-203AA, DO-4, y también
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
Las demás:
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MBR3560
El objetivo es el siguiente:
Diodo 60 V 35A Chasis, montado en el perno DO-4

Tags:

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