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G3S06504C.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Se trata de un sistema de transmisión de energía que se utiliza para la transmisión de energía.

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
181pF a 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología energética global-GPT
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
11.5A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Paquete:
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Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
181pF a 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología energética global-GPT
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
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-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
11.5A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
G3S06504C.
Diodo 650 V 11.5A Montado en la superficie TO-252

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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