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GAP3SLT33-214: el número de personas que han sido afectadas por la enfermedad
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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 3300 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.2 V a 300 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
42pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-214AA
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-214AA, SMB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Los demás
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
GAP3SLT33
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 3300 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.2 V a 300 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
42pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-214AA
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-214AA, SMB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Los demás
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
GAP3SLT33
GAP3SLT33-214: el número de personas que han sido afectadas por la enfermedad
Diodo 3300 V 300mA Montado en la superficie DO-214AA

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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