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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto

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Descripción: Se trata de un sistema de transmisión de datos.

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.35 V @ 4 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Digi-Reel®
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
La velocidad de emisión de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire es d
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
11A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.35 V @ 4 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Digi-Reel®
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
La velocidad de emisión de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire es d
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-252-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
11A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Diodo 650 V 11A montado en la superficie TO-252-2