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El número de unidades de producción es el siguiente:
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo SIC 3.3KV 300MA a 220FP

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 3300 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 300 mA
Paquete:
El tubo
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
42pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220FP
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Los demás
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
GAP3SLT33
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 3300 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 300 mA
Paquete:
El tubo
Series:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
42pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220FP
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Los demás
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
GAP3SLT33
El número de unidades de producción es el siguiente:
Diodo 3300 V 300mA a través del agujero TO-220FP

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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