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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

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Descripción: DIODO GEN PURP 400V 8A TO263AB

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	10 μA @ 400 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.3 V @ 8 A	Paquete:	El tubo
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	En el caso de los productos de la categoría A, el número de la categoría A será el siguiente:	Tiempo de recuperación inverso (trr):	50 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C	Envase / estuche:	TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	8A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	FESB8

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	10 μA @ 400 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.3 V @ 8 A
Paquete:	El tubo
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	En el caso de los productos de la categoría A, el número de la categoría A será el siguiente:
Tiempo de recuperación inverso (trr):	50 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:	TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	8A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	FESB8