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Se aplicará el procedimiento de ensayo.
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Detalles del producto

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Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
20 µA @ 650 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.55 V @ 2 A
Package:
Tape & Reel (TR)
Series:
Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Capacitance @ Vr, F:
135pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package:
DPAK
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
STMicroelectronics
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-40°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
650 V
Current - Average Rectified (Io):
2A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
STPSC2
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
20 µA @ 650 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.55 V @ 2 A
Package:
Tape & Reel (TR)
Series:
Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Capacitance @ Vr, F:
135pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package:
DPAK
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
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Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
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Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
650 V
Current - Average Rectified (Io):
2A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
STPSC2
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
Diodo 650 V 2A montado en la superficie DPAK

Tags:

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