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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 100 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	950 mV @ 1 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de una combinación de las siguientes características:	Tiempo de recuperación inverso (trr):	30 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	Se trata de una combinación de las siguientes características:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	1a
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	UFS110

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	950 mV @ 1 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de una combinación de las siguientes características:
Tiempo de recuperación inverso (trr):	30 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se trata de una combinación de las siguientes características:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	1a
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	UFS110