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1N4153/TR
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Detalles del producto

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
880 mV @ 20 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
Tiempo de recuperación inverso (trr):
4 años
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
150 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
880 mV @ 20 mA
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Series:
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Capacidad @ Vr, F:
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Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
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-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
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La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
150 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
1N4153/TR
Diodo de 50 V 150 mA a través del agujero DO-35 (DO-204AH)

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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