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Sicrd5650
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Detalles del producto

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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 5 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
DPAK
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Soluciones de diodos SMC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
5A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Sicrd5650
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 5 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
DPAK
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Soluciones de diodos SMC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
5A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Sicrd5650
Sicrd5650
Diodo 650 V 5A montado en la superficie DPAK

Tags:

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