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Descripción: DIODO SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-PAK
El Sr.:
Micro Commercial Co.
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de la SICU02120.
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-PAK
El Sr.:
Micro Commercial Co.
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de la SICU02120.
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.
Diodo 1200 V 2A montado en la superficie D-Pak