Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de la	Tipo de montaje:	A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1 V @ 100 mA	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos	Tiempo de recuperación inverso (trr):	50 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	de una potencia superior a 175 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	El valor de las emisiones
Velocidad:	Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de la
Tipo de montaje:	A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1 V @ 100 mA
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
Tiempo de recuperación inverso (trr):	50 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	de una potencia superior a 175 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	El valor de las emisiones
Velocidad:	Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad