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AIDW10S65C5XKSA1 y sus componentes
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO SIL CARB 650V 10A TO247-3

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No está disponible
Corriente - fuga inversa @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Paquete:
El tubo
Series:
Automotriz, AEC-Q100/101, CoolSiC™
Capacidad @ Vr, F:
303pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
PG-TO247-3-41
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40°C ~ 175°C
Envase / estuche:
TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
10A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
AIDW10
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No está disponible
Corriente - fuga inversa @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Paquete:
El tubo
Series:
Automotriz, AEC-Q100/101, CoolSiC™
Capacidad @ Vr, F:
303pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
PG-TO247-3-41
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40°C ~ 175°C
Envase / estuche:
TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
10A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
AIDW10
AIDW10S65C5XKSA1 y sus componentes
Diodo 650 V 10A a través del agujero PG-TO247-3-41

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

32 componentes electrónicos mordidos del OEM del microcontrolador,

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