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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán exigir a los Estados miembros que no cumplan los requisitos de la presente Directiva:

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Descripción: Diodo SIL CARB 650V 12A hasta 220AC

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Se aplicarán los siguientes requisitos:	Tipo de montaje:	A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 12 A	Paquete:	El tubo
Serie:	-	Capacidad @ Vr, F:	380 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AC	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C (máximo)	Envase / estuche:	TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	12A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)	Número del producto de base:	NXPSC

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Se aplicarán los siguientes requisitos:
Tipo de montaje:	A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 12 A
Paquete:	El tubo
Serie:	-
Capacidad @ Vr, F:	380 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AC
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C (máximo)
Envase / estuche:	TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	12A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	NXPSC

No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán exigir a los Estados miembros que no cumplan los requisitos de la presente Directiva:

Diodo 650 V 12A a través del agujero TO-220AC

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