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Se aplicará el método de ensayo de la norma ISOFIX, según el caso.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Last Time Buy
Current - Reverse Leakage @ Vr:
80 µA @ 600 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
2.1 V @ 9 A
Package:
Tape & Reel (TR)
Series:
CoolSiC™+
Capacitance @ Vr, F:
280pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:
PG-TO252-3
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
Infineon Technologies
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
600 V
Current - Average Rectified (Io):
9A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
IDD09SG60
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
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Current - Reverse Leakage @ Vr:
80 µA @ 600 V
Mounting Type:
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Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
2.1 V @ 9 A
Package:
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Series:
CoolSiC™+
Capacitance @ Vr, F:
280pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:
PG-TO252-3
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
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Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
600 V
Current - Average Rectified (Io):
9A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
IDD09SG60
Se aplicará el método de ensayo de la norma ISOFIX, según el caso.
Diodo de 600 V 9A montado en la superficie PG-TO252-3

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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