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Descripción de producto
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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
5 μs
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
5 μs
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 600 V 1A a través del orificio A, axial

Tags:

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