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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
20 µA @ 1200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.65 V @ 10 A
Package:
Tube
Series:
Amp+™
Capacitance @ Vr, F:
608pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:
TO-247-2
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
SemiQ
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1200 V
Current - Average Rectified (Io):
10A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
GP3D010
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
20 µA @ 1200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.65 V @ 10 A
Package:
Tube
Series:
Amp+™
Capacitance @ Vr, F:
608pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:
TO-247-2
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
SemiQ
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1200 V
Current - Average Rectified (Io):
10A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
GP3D010
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
Diodo 1200 V 10A a través del agujero TO-247-2

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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